耐压更高的 MOS 一定能替代吗？

不能。高耐压器件可能有更高导通电阻和栅极电荷，导致损耗或驱动问题，还需要核对封装、引脚和热性能。

MOSFET 应按型号还是参数分类？

唯一档案按完整 MPN，检索和物理分区可按沟道、耐压段和封装组织，两种方式并不冲突。

MOSFET 外形相同并不意味着可替换。耐压、RDS(on) 的测试栅压、热阻和 SOA 都会影响实际工作。库存系统应让这些参数可以比较，而不是只保存一个模糊名称。

至少记录沟道类型、VDS、连续电流、RDS(on)、对应 VGS、阈值电压和封装。功率应用还应关注 SOA、热阻和雪崩能力。

同封装 MOSFET 很难靠丝印快速区分。N 沟道、P 沟道和双 MOS 应分区，易混型号使用独立格位和清晰标签。

替代判断要回到具体电路：驱动电压、开关频率、损耗、封装焊盘和热设计都需要满足。替代组应注明经过验证的项目。

按沟道类型、耐压 Vds、电流 Id、导通内阻 Rds(on) 和驱动阈值 Vgs(th) 建立精确筛选矩阵。

MOS 管绝不可仅凭外形替代，必须核实逻辑电平是否能在目标 Vgs 下使 Rds(on) 充分饱和导通。
标准料号	沟道类型	漏源耐压 (Vds)	最大电流 (Id)	导通阻抗 (Rds_on)	栅极阈值 (Vgs_th)	封装形式
AO3400A	N-Channel	30V	5.7A	28mΩ @ 4.5V	0.65V ~ 1.45V	SOT-23 (3.3V/5V 逻辑电平直驱)
AO3401A	P-Channel	-30V	-4.2A	44mΩ @ -4.5V	-0.7V ~ -1.3V	SOT-23 (防电源反接 / 高边负载开关)
CSD18532Q5B	N-Channel	60V	100A	2.5mΩ @ 10V	1.6V ~ 2.2V	SON-8 (5x6) (大功率同步整流 / 电机驱动)
2N7002	N-Channel	60V	115mA	2Ω @ 10V	1.0V ~ 2.5V	SOT-23 (小信号电平转换 / I2C 隔离)

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